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2014

  • 分类：发展历史
  • 作者：
  • 来源：
  • 发布时间：2022-09-26
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【概要描述】Ø 2 inch量产中试，位错密度10⁵cm⁻²。

2014

【概要描述】Ø 2 inch量产中试，位错密度10⁵cm⁻²。

  • 分类：发展历史
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开展了4英寸GaN单晶衬底的研发；获得国家科技部863项目“大尺寸GaN单晶衬底制备及同质外延”项目的支持

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