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2018

  • 分类：发展历史
  • 作者：
  • 来源：
  • 发布时间：2022-09-26
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【概要描述】Ø 4 inch量产技术，Ø 6inch关键技术。
研发水平位错密度10³cm⁻²。

2018

【概要描述】Ø 4 inch量产技术，Ø 6inch关键技术。
研发水平位错密度10³cm⁻²。

  • 分类：发展历史
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2英寸GaN单晶衬底的位错密度获得国际认可；完成了4英寸GaN单晶衬底；开展了6英寸GaN单晶衬底的研发

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