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10x10.5 mm²-FS-GaN规格书
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4英寸自支撑氮化镓晶片（非掺）规格：GaN-FS-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.1 mm 厚度：650 ± 50 μm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm -
4英寸自支撑氮化镓晶片（铁掺）规格：GaN-FS-C-SI-C100 尺寸：Ф 100 ±1 mm 厚度：420 ±50μm 电阻率(300k)：>1×10⁹Ω*cm -
2英寸自支撑氮化镓晶片（非掺）规格：GaN-FS-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω*cm -
2英寸自支撑氮化镓晶片（硅掺）规格：GaN-FS-C-N-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 电阻率(300k)：< 0.05 Ω*cm
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2英寸自支撑氮化镓晶片（铁掺）规格：GaN-FS-C-SI-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 1 mm 厚度：350 ± 25 μm 电阻率(300k)：> 1 x 106 Ω*cm -
10*10.5mm2自支撑氮化镓晶片（非掺）规格：GaN-FS-C-U-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm2 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm -
10*10.5mm2自支撑氮化镓晶片（硅掺）规格：GaN-FS-C-N-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm2 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.05 Ω·cm
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10*10.5mm2自支撑氮化镓晶片（铁掺）规格：GaN-FS-C-SI-S10 尺寸：Ф 10 x 10.5 mm2 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：> 106 Ω·cm
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5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底A-plane（UID/N/SI)规格：GaN-FS-A-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm2 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm -
5*10mm²非极性氮化镓自支撑衬底M-plane（UID/N/SI)规格：GaN-FS-M-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm2 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
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5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(10-11)plane（UID/N/SI)规格：GaN-FS-SP-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm2 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
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5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(11-22)plane（UID/N/SI)规格：GaN-FS-SP-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm2 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：< 0.5 Ω·cm
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5*10mm²半极性氮化镓自支撑衬底Semi-polar-(20-2-1)plane（UID/N/SI)规格：GaN-FS-SP-U-S 尺寸：Ф 5 x 10 mm2 厚度：350 ± 25 µm 电阻率(300k)：<0.5Ω·cm
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6英寸氮化镓厚膜晶片（非掺）规格：GaN-T-C-U-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 4% 电阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm -
6英寸氮化镓厚膜晶片（硅掺）规格：GaN-T-C-N-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 4% 电阻率(300k)：< 0.05 Ω·cm
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6英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺）规格：GaN-T-C-P-C150 尺寸：Ф 150 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：< 10Ω·cm
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4英寸氮化镓厚膜晶片（非掺）规格：GaN-T-C-U-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm -
4英寸氮化镓厚膜晶片（硅掺）规格：GaN-T-C-N-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：< 0.05 Ω·cm
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4英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺）规格：GaN-T-C-P-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：< 10 Ω·cm
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2英寸氮化镓厚膜晶片（非掺）规格：GaN-T-C-U-C50 尺寸：Ф 50.8 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：> 0.5 Ω·cm
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