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6英寸氮化镓厚膜晶片（非掺）
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4英寸氮化镓厚膜晶片（镁掺）规格：GaN-T-C-P-C100 尺寸：Ф 100 ± 0.2 mm 厚度：4.5 ± 0.5 μm / < 3% 电阻率(300k)：< 10 Ω·cm
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